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基于等效电路参数提取的硅光电二极管激光损伤机理分析

师宇斌 张检民 张震 林新伟 程德艳 窦鹏程

师宇斌, 张检民, 张震, 林新伟, 程德艳, 窦鹏程. 基于等效电路参数提取的硅光电二极管激光损伤机理分析[J]. 红外与激光工程, 2018, 47(1): 106002-0106002(5). doi: 10.3788/IRLA201847.0106002
引用本文: 师宇斌, 张检民, 张震, 林新伟, 程德艳, 窦鹏程. 基于等效电路参数提取的硅光电二极管激光损伤机理分析[J]. 红外与激光工程, 2018, 47(1): 106002-0106002(5). doi: 10.3788/IRLA201847.0106002
Shi Yubin, Zhang Jianmin, Zhang Zhen, Lin Xinwei, Cheng Deyan, Dou Pengcheng. Analysis of laser-induced damage mechanism in Si photodiode based on parameter extraction of equivalent circuit[J]. Infrared and Laser Engineering, 2018, 47(1): 106002-0106002(5). doi: 10.3788/IRLA201847.0106002
Citation: Shi Yubin, Zhang Jianmin, Zhang Zhen, Lin Xinwei, Cheng Deyan, Dou Pengcheng. Analysis of laser-induced damage mechanism in Si photodiode based on parameter extraction of equivalent circuit[J]. Infrared and Laser Engineering, 2018, 47(1): 106002-0106002(5). doi: 10.3788/IRLA201847.0106002

基于等效电路参数提取的硅光电二极管激光损伤机理分析

doi: 10.3788/IRLA201847.0106002
基金项目: 

国家自然科学基金(11405132);西北核技术研究所长线预研课题(12111502)

详细信息
    作者简介:

    师宇斌(1988-),男,助理研究员,硕士,主要从事激光辐照效应方面的研究。Email:shiyubin@nint.ac.cn

  • 中图分类号: TN249

Analysis of laser-induced damage mechanism in Si photodiode based on parameter extraction of equivalent circuit

  • 摘要: 通过硅光电二极管激光辐照效应实验获取了辐照前后器件的I-V特性曲线,利用粒子群优化算法对二极管的等效电路参数进行提取,考察受损前后等效参数的变化规律。认为光电二极管在激光辐照受损后,其反向饱和电流会减小,等效串联电阻会增大,等效并联电阻会减小。随后,基于半导体物理理论,对这些参数变化的内在因素进行了定性分析。认为反向饱和电流减小是由掺杂离子浓度减小造成的,串联电阻增大是因掺杂离子浓度以及载流子寿命减小共同引起的,并联电阻减小则是由半导体表面及内部的缺陷引起的。
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出版历程
  • 收稿日期:  2017-06-15
  • 修回日期:  2017-08-20
  • 刊出日期:  2018-01-25

基于等效电路参数提取的硅光电二极管激光损伤机理分析

doi: 10.3788/IRLA201847.0106002
    作者简介:

    师宇斌(1988-),男,助理研究员,硕士,主要从事激光辐照效应方面的研究。Email:shiyubin@nint.ac.cn

基金项目:

国家自然科学基金(11405132);西北核技术研究所长线预研课题(12111502)

  • 中图分类号: TN249

摘要: 通过硅光电二极管激光辐照效应实验获取了辐照前后器件的I-V特性曲线,利用粒子群优化算法对二极管的等效电路参数进行提取,考察受损前后等效参数的变化规律。认为光电二极管在激光辐照受损后,其反向饱和电流会减小,等效串联电阻会增大,等效并联电阻会减小。随后,基于半导体物理理论,对这些参数变化的内在因素进行了定性分析。认为反向饱和电流减小是由掺杂离子浓度减小造成的,串联电阻增大是因掺杂离子浓度以及载流子寿命减小共同引起的,并联电阻减小则是由半导体表面及内部的缺陷引起的。

English Abstract

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