高功率半导体激光器互连界面可靠性研究

彭勃; 张普; 陈天奇; 赵崟岑; 吴的海; 刘晖

doi:10.3788/IRLA201847.1105002

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高功率半导体激光器互连界面可靠性研究

彭勃, 张普, 陈天奇, 赵崟岑, 吴的海, 刘晖

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彭勃, 张普, 陈天奇, 赵崟岑, 吴的海, 刘晖. 高功率半导体激光器互连界面可靠性研究[J]. 红外与激光工程, 2018, 47(11): 1105002-1105002(8). doi: 10.3788/IRLA201847.1105002

引用本文:

Peng Bo, Zhang Pu, Chen Tianqi, Zhao Yincen, Wu Dihai, Liu Hui. Reliability of bonding interface in high power diode lasers[J]. Infrared and Laser Engineering, 2018, 47(11): 1105002-1105002(8). doi: 10.3788/IRLA201847.1105002

Citation:

Peng Bo, Zhang Pu, Chen Tianqi, Zhao Yincen, Wu Dihai, Liu Hui. Reliability of bonding interface in high power diode lasers[J]. Infrared and Laser Engineering, 2018, 47(11): 1105002-1105002(8). doi: 10.3788/IRLA201847.1105002

高功率半导体激光器互连界面可靠性研究

doi: 10.3788/IRLA201847.1105002

彭勃^1,2,
张普¹,
陈天奇^1,2,
赵崟岑²,
吴的海^1,2,
刘晖¹

1.
中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室,陕西西安 710119;
2.
中国科学院大学,北京 100049

基金项目:

国家自然科学基金（61334010，61404172）

详细信息

作者简介:
彭勃(1991-),男,硕士生,主要从事高功率半导体激光器可靠性方面的研究。Email:pengbo2015@opt.cn

中图分类号: TN248.4

Reliability of bonding interface in high power diode lasers

1.
State Key Laboratory of Transient Optics and Photonics,Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,Chinese Academy of Sciences,Xi'an 710119,China;
2.
University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China

摘要: 随着高功率半导体激光器（HPLD）在极端环境中的应用越来越广泛，互连界面的可靠性已成为制约其性能和寿命的关键瓶颈之一。文中利用有限元方法（FEM）对传导冷却（CS）高功率半导体激光器巴条互连界面在-55~125℃热冲击条件下的失效行为和寿命进行了模拟与分析。基于粘塑性Anand本构模型和Darveaux能量积累理论，对比了热冲击后界面层边缘及中心位置铟互连界面的可靠性，发现互连界面边缘的应力最大，达到0.042 5 GPa；相应的边缘位置的寿命最短，只有3 006个周期，即边缘位置为互连界面的最危险单元。预测了采用铟、金锡合金和纳米银焊膏封装的半导体激光器巴条的寿命，计算出铟、金锡合金和纳米银焊膏三种不同键合材料在边缘位置的寿命分别为3 006、4 808和4 911次循环，表明纳米银焊膏和金锡合金在热冲击条件下具有更长的寿命，更适合于用于极端环境的高功率半导体激光器封装。
- 可靠性 /
- 高功率半导体激光器 /
- 互连界面 /
- 寿命 /
- 有限元
Abstract: With the rapidly increasing applications of high power laser diode(HPLD) in extreme environments, the reliability of bonding interface has become one of the critical bottlenecks affecting the HPLD's performance and lifetime. In this work, failure behavior and lifetime of a single-bar CS-packaged HPLD under -55-125℃ thermal-shock were analyzed by finite element method(FEM). Based on Anand constitutive model and Darveaux energy accumulation theory, the reliability of indium bonding layer on the edge and at the central position after the themal-shock was compared. It shows that the bonding interface on the edge has the highest stress (0.042 5 GPa) and lowest lifetime (3 006 cycles), in other words, the edge is the riskiest element of the bonding interface. In addition, the lifetimes of three kinds of bonding layers on the edge, including indium, 80Au20Sn and nanosilver paste, were simulated to be 3 006, 4 804 and 4 911 cycles, respectively. The results show nanosilver paste and 80Au20Sn have longer lifetimes and better reliability, which are better bonding materials in the packaging of high power laser diodes used in extreme enviroments.
- reliability /
- high power laser diode /
- bonding interface /
- lifetime /
- finite element

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高功率半导体激光器互连界面可靠性研究

doi: 10.3788/IRLA201847.1105002

1. 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室,陕西西安 710119;

2. 中国科学院大学,北京 100049

作者简介:
彭勃(1991-),男,硕士生,主要从事高功率半导体激光器可靠性方面的研究。Email:pengbo2015@opt.cn

收稿日期: 2018-06-05
修回日期: 2018-07-03
刊出日期: 2018-11-25

基金项目:

国家自然科学基金（61334010，61404172）

中图分类号: TN248.4

关键词:

摘要: 随着高功率半导体激光器（HPLD）在极端环境中的应用越来越广泛，互连界面的可靠性已成为制约其性能和寿命的关键瓶颈之一。文中利用有限元方法（FEM）对传导冷却（CS）高功率半导体激光器巴条互连界面在-55~125℃热冲击条件下的失效行为和寿命进行了模拟与分析。基于粘塑性Anand本构模型和Darveaux能量积累理论，对比了热冲击后界面层边缘及中心位置铟互连界面的可靠性，发现互连界面边缘的应力最大，达到0.042 5 GPa；相应的边缘位置的寿命最短，只有3 006个周期，即边缘位置为互连界面的最危险单元。预测了采用铟、金锡合金和纳米银焊膏封装的半导体激光器巴条的寿命，计算出铟、金锡合金和纳米银焊膏三种不同键合材料在边缘位置的寿命分别为3 006、4 808和4 911次循环，表明纳米银焊膏和金锡合金在热冲击条件下具有更长的寿命，更适合于用于极端环境的高功率半导体激光器封装。

English Abstract

Reliability of bonding interface in high power diode lasers

1. State Key Laboratory of Transient Optics and Photonics,Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,Chinese Academy of Sciences,Xi'an 710119,China;

2. University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China

Received Date: 2018-06-05
Rev Recd Date: 2018-07-03
Publish Date: 2018-11-25

Keywords:

Abstract: With the rapidly increasing applications of high power laser diode(HPLD) in extreme environments, the reliability of bonding interface has become one of the critical bottlenecks affecting the HPLD's performance and lifetime. In this work, failure behavior and lifetime of a single-bar CS-packaged HPLD under -55-125℃ thermal-shock were analyzed by finite element method(FEM). Based on Anand constitutive model and Darveaux energy accumulation theory, the reliability of indium bonding layer on the edge and at the central position after the themal-shock was compared. It shows that the bonding interface on the edge has the highest stress (0.042 5 GPa) and lowest lifetime (3 006 cycles), in other words, the edge is the riskiest element of the bonding interface. In addition, the lifetimes of three kinds of bonding layers on the edge, including indium, 80Au20Sn and nanosilver paste, were simulated to be 3 006, 4 804 and 4 911 cycles, respectively. The results show nanosilver paste and 80Au20Sn have longer lifetimes and better reliability, which are better bonding materials in the packaging of high power laser diodes used in extreme enviroments.