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无基片空间合成的220 GHz三次倍频电路研究

胡南

胡南. 无基片空间合成的220 GHz三次倍频电路研究[J]. 红外与激光工程, 2019, 48(2): 225002-0225002(4). doi: 10.3788/IRLA201948.0225002
引用本文: 胡南. 无基片空间合成的220 GHz三次倍频电路研究[J]. 红外与激光工程, 2019, 48(2): 225002-0225002(4). doi: 10.3788/IRLA201948.0225002
Hu Nan. Research on no-substrate space-combined 220 GHz tripler frequency multiplier circuit[J]. Infrared and Laser Engineering, 2019, 48(2): 225002-0225002(4). doi: 10.3788/IRLA201948.0225002
Citation: Hu Nan. Research on no-substrate space-combined 220 GHz tripler frequency multiplier circuit[J]. Infrared and Laser Engineering, 2019, 48(2): 225002-0225002(4). doi: 10.3788/IRLA201948.0225002

无基片空间合成的220 GHz三次倍频电路研究

doi: 10.3788/IRLA201948.0225002
详细信息
    作者简介:

    胡南(1978-),男,高级工程师,主要从事微波毫米波太赫兹天线和波导设计、系统和电路设计方面的研究。Email:stanley@ainfoinc.com

  • 中图分类号: TN45

Research on no-substrate space-combined 220 GHz tripler frequency multiplier circuit

  • 摘要: 基于四阳极结同向串联型GaAs平面肖特基二极管,设计并实现了无基片空间合成的220 GHz三次倍频电路。采用四支肖特基二极管协同工作,在脊波导小片上下两侧各倒装焊接两支肖特基二极管,构成上下反向结构。采用场路结合的方式,对倍频电路的倍频效率进行了仿真。仿真结果显示输入功率为300 mW,输出频率为213~229 GHz时,倍频效率大于3%;采用E波段功率放大器推动三次倍频电路,获得了倍频器输出功率。测试数据表明,驱动功率为300 mW时,输出频率为213~229 GHz时,输出功率大于5 dBm,倍频效率为1%~2%。
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出版历程
  • 收稿日期:  2018-09-05
  • 修回日期:  2018-10-10
  • 刊出日期:  2019-02-25

无基片空间合成的220 GHz三次倍频电路研究

doi: 10.3788/IRLA201948.0225002
    作者简介:

    胡南(1978-),男,高级工程师,主要从事微波毫米波太赫兹天线和波导设计、系统和电路设计方面的研究。Email:stanley@ainfoinc.com

  • 中图分类号: TN45

摘要: 基于四阳极结同向串联型GaAs平面肖特基二极管,设计并实现了无基片空间合成的220 GHz三次倍频电路。采用四支肖特基二极管协同工作,在脊波导小片上下两侧各倒装焊接两支肖特基二极管,构成上下反向结构。采用场路结合的方式,对倍频电路的倍频效率进行了仿真。仿真结果显示输入功率为300 mW,输出频率为213~229 GHz时,倍频效率大于3%;采用E波段功率放大器推动三次倍频电路,获得了倍频器输出功率。测试数据表明,驱动功率为300 mW时,输出频率为213~229 GHz时,输出功率大于5 dBm,倍频效率为1%~2%。

English Abstract

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