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GaAs肖特基二极管的250 GHz二次谐波混频器研究

胡海帆 赵自然 马旭明 姜寿禄

胡海帆, 赵自然, 马旭明, 姜寿禄. GaAs肖特基二极管的250 GHz二次谐波混频器研究[J]. 红外与激光工程, 2019, 48(7): 722001-0722001(6). doi: 10.3788/IRLA201948.0722001
引用本文: 胡海帆, 赵自然, 马旭明, 姜寿禄. GaAs肖特基二极管的250 GHz二次谐波混频器研究[J]. 红外与激光工程, 2019, 48(7): 722001-0722001(6). doi: 10.3788/IRLA201948.0722001
Hu Haifan, Zhao Ziran, Ma Xuming, Jiang Shoulu. Reasearch on 250 GHz sub-harmonic mixer based on GaAs Schottky diodes[J]. Infrared and Laser Engineering, 2019, 48(7): 722001-0722001(6). doi: 10.3788/IRLA201948.0722001
Citation: Hu Haifan, Zhao Ziran, Ma Xuming, Jiang Shoulu. Reasearch on 250 GHz sub-harmonic mixer based on GaAs Schottky diodes[J]. Infrared and Laser Engineering, 2019, 48(7): 722001-0722001(6). doi: 10.3788/IRLA201948.0722001

GaAs肖特基二极管的250 GHz二次谐波混频器研究

doi: 10.3788/IRLA201948.0722001
基金项目: 

2017北京市博士后工作经费资助(2017-ZZ-131)

详细信息
    作者简介:

    胡海帆(1984-),男,博士,主要从事半导体器件,太赫兹电路方面的研究。Email:huhaifan1@163.com

  • 中图分类号: TN454

Reasearch on 250 GHz sub-harmonic mixer based on GaAs Schottky diodes

  • 摘要: 基于Hammer-Head型滤波器结构,以及三维电磁软件所构建的肖特基二极管三维模型及电气模型,分别设计了250 GHz悬置微带线和普通微带线的二次谐波混频器。通过仿真设计与实物测试,对比分析两种结构混频器特性。测试结果表明,悬置微带线混频器在射频输入230~270 GHz范围内时,单边带变频损耗为8.6~12.7 dB,而普通微带线混频器在射频输入220~260 GHz范围内时,单边带变频损耗为8.4~11.4 dB。通过结果对比可见,悬置微带线混频器带宽较大,而普通微带线混频器的变频损耗更为平滑。此外,考虑微组装工艺中的不良因素,对仿真模型进行部分修正,计算结果与测试结果拟合较好。
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出版历程
  • 收稿日期:  2019-02-10
  • 修回日期:  2019-03-20
  • 刊出日期:  2019-07-25

GaAs肖特基二极管的250 GHz二次谐波混频器研究

doi: 10.3788/IRLA201948.0722001
    作者简介:

    胡海帆(1984-),男,博士,主要从事半导体器件,太赫兹电路方面的研究。Email:huhaifan1@163.com

基金项目:

2017北京市博士后工作经费资助(2017-ZZ-131)

  • 中图分类号: TN454

摘要: 基于Hammer-Head型滤波器结构,以及三维电磁软件所构建的肖特基二极管三维模型及电气模型,分别设计了250 GHz悬置微带线和普通微带线的二次谐波混频器。通过仿真设计与实物测试,对比分析两种结构混频器特性。测试结果表明,悬置微带线混频器在射频输入230~270 GHz范围内时,单边带变频损耗为8.6~12.7 dB,而普通微带线混频器在射频输入220~260 GHz范围内时,单边带变频损耗为8.4~11.4 dB。通过结果对比可见,悬置微带线混频器带宽较大,而普通微带线混频器的变频损耗更为平滑。此外,考虑微组装工艺中的不良因素,对仿真模型进行部分修正,计算结果与测试结果拟合较好。

English Abstract

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