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基于3 μm-SOI的波分复用/解复用器与电吸收型VOA的单片集成

袁配 王玥 吴远大 安俊明 祝连庆

袁配, 王玥, 吴远大, 安俊明, 祝连庆. 基于3 μm-SOI的波分复用/解复用器与电吸收型VOA的单片集成[J]. 红外与激光工程, 2019, 48(8): 818004-0818004(7). doi: 10.3788/IRLA201948.0818004
引用本文: 袁配, 王玥, 吴远大, 安俊明, 祝连庆. 基于3 μm-SOI的波分复用/解复用器与电吸收型VOA的单片集成[J]. 红外与激光工程, 2019, 48(8): 818004-0818004(7). doi: 10.3788/IRLA201948.0818004
Yuan Pei, Wang Yue, Wu Yuanda, An Junming, Zhu Lianqing. Monolithic integration of a wavelength division multiplexer/demultiplexer and electro-absorption VOAs based on 3 μm-SOI[J]. Infrared and Laser Engineering, 2019, 48(8): 818004-0818004(7). doi: 10.3788/IRLA201948.0818004
Citation: Yuan Pei, Wang Yue, Wu Yuanda, An Junming, Zhu Lianqing. Monolithic integration of a wavelength division multiplexer/demultiplexer and electro-absorption VOAs based on 3 μm-SOI[J]. Infrared and Laser Engineering, 2019, 48(8): 818004-0818004(7). doi: 10.3788/IRLA201948.0818004

基于3 μm-SOI的波分复用/解复用器与电吸收型VOA的单片集成

doi: 10.3788/IRLA201948.0818004
基金项目: 

高等学校学科创新引智计划(先进光电子器件与系统学科创新引智基地D17021)

详细信息
    作者简介:

    袁配(1989-),女,博士生,主要从事SOI基无源光波导器件方面的研究。Email:yuanpei@semi.ac.cn

  • 中图分类号: TN256

Monolithic integration of a wavelength division multiplexer/demultiplexer and electro-absorption VOAs based on 3 μm-SOI

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出版历程
  • 收稿日期:  2019-03-05
  • 修回日期:  2019-04-10
  • 刊出日期:  2019-08-25

基于3 μm-SOI的波分复用/解复用器与电吸收型VOA的单片集成

doi: 10.3788/IRLA201948.0818004
    作者简介:

    袁配(1989-),女,博士生,主要从事SOI基无源光波导器件方面的研究。Email:yuanpei@semi.ac.cn

基金项目:

高等学校学科创新引智计划(先进光电子器件与系统学科创新引智基地D17021)

  • 中图分类号: TN256

摘要: 波分复用/解复用器与可调光衰减器的是光通信系统中的重要元器件。为了得到制备工艺简单、响应速度快的二者的单片集成芯片,并且考虑到其与其他不同光器件的集成可能性,在绝缘体上硅材料制作了16通道、信道间隔200 GHz的阵列波导光栅复用/解复用器与电吸收型可调光衰减器的单片集成。该器件的片上损耗小于7 dB,串扰小于-22 dB。电吸收型VOA在20 dB的衰减量下的功耗为572 mW (106 mA,5.4 V)。此外,该器件可以实现光功率的快速衰减,在0~5 V的外加方波电压下,VOA上升及下降时间分别为50.5 ns和48 ns。

English Abstract

参考文献 (10)

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