留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

InSb 红外焦平面阵列探测器湿法刻蚀

沈祥伟 吕衍秋 刘炜 曹先存 何英杰

沈祥伟, 吕衍秋, 刘炜, 曹先存, 何英杰. InSb 红外焦平面阵列探测器湿法刻蚀[J]. 红外与激光工程, 2014, 43(9): 2805-2809.
引用本文: 沈祥伟, 吕衍秋, 刘炜, 曹先存, 何英杰. InSb 红外焦平面阵列探测器湿法刻蚀[J]. 红外与激光工程, 2014, 43(9): 2805-2809.
Shen Xiangwei, Lv Yanqiu, Liu Wei, Cao Xiancun, He Yingjie. Wet etching of InSb IRFPA detectors[J]. Infrared and Laser Engineering, 2014, 43(9): 2805-2809.
Citation: Shen Xiangwei, Lv Yanqiu, Liu Wei, Cao Xiancun, He Yingjie. Wet etching of InSb IRFPA detectors[J]. Infrared and Laser Engineering, 2014, 43(9): 2805-2809.

InSb 红外焦平面阵列探测器湿法刻蚀

基金项目: 

中航工业集团公司技术创新基金(2011D01406)

详细信息
    作者简介:

    沈祥伟(1982- ),男,工程师,硕士,主要从事红外探测器技术方面的研究。Email:shenxw2008@sina.cn

  • 中图分类号: TN215

Wet etching of InSb IRFPA detectors

  • 摘要: 随着大规模InSb 红外焦平面(FPA)器件的发展,探测器制备的传统湿法刻蚀工艺已越来越难以满足新工艺要求。介绍了一种用于制备InSb 红外焦平面探测器的新湿法刻蚀工艺:使用适当比例的柠檬酸/H2O2 系刻蚀剂代替现有乳酸/硝酸系刻蚀剂,同时采用N2 气泡搅拌刻蚀装置来辅助刻蚀。通过实验对比分析表明,新刻蚀工艺可以很好地解决原湿法刻蚀横向刻蚀和下切效应,提高了刻蚀均匀性和平整度,减小了表面粗糙度,并明显降低了InSb 器件的漏电流,提高了电性能。
  • [1] Kim Y H, Lee J Y, Noh Y G, et al. Effect of two-stepgrowth on the heteroepitaxial growth of InSb thin film on Si(001) substrate: A transmission electron microscopy study[J]. Applied Physics Letters, 2006, 89(031919): 1-3.
    [2]
    [3]
    [4] Rotelante R. Why the IR detector market is in flux [J].Laser Focus World, 1999, 35: 65-68.
    [5] Chen Boliang, Sun Weiguo, Liang Pingzhi, et al.Development and applications of staring InSb for focal planearray assembly [J]. Infrared and Laser Engineering, 2002,31(5): 419-423. (in Chinese)陈伯良, 孙维国, 梁平治, 等. InSb 凝视红外焦平面组件研制和应用[J]. 红外与激光工程, 2002, 31(5): 419-423.
    [6]
    [7] Ashley T, Burke T M, Emeny M T, et al. Epitaxial InSb forelevated temperature operation of large IR focal plane arrays[C]//SPIE, 2003, 5074: 95-102.
    [8]
    [9]
    [10] GadelRab S M, Miri A M, Chamberlain S G. A comparisonof the performance and reliability of wet-etched and dry-etched -Si: HTFT' s [J]. IEEE Transactions on ElectronDevices, 1998, 45(2): 560-563.
    [11] Porkolab G A, Chen Y J, Merritt S A, et al. Wet-chemistrysurface treatment for dark-current reduction that preserveslateral dimensions of reactive ion etched Ga0.47In0.53As p-i-ndiode photodetectors [J]. IEEE Photonics TechnologyLetters, 1997, 9(4): 490-492.
    [12]
    [13]
    [14] Chang Kow-Ming, Luo Jiunn-Jye, Chiang Cheng-Der, etal. Wet etching characterization of InSb for thermal imagingapplications [J]. Japanese Journal of Applied Physics, 2006,45(3A): 1477-482.
    [15]
    [16] Ilan Bloom, Yael Nemirovsky. Bulk lifetime determination ofetch-thinned InSb wafers for two-dimensional infrared focalplane array [J]. IEEE Transactions on Electron Devices,1992, 40(2): 809-812.
    [17] Wei Shuling, Ying Jiongming. Wet etching of InSb for focalplane arrays [J]. Laser Infrared, 2008, 38 (9): 899-901.(in Chinese)韦书领, 应明炯. InSb 晶片湿法化学刻蚀研究[J]. 激光与红外, 2008, 38(9): 899-901.
    [18]
    [19] Chen Huijuan, Guo Jie, Ding Jiaxin, et al. Study of mesaetching for a InAs/GaSb superlattice infrared detector [J].Micronanoelectronic Technology, 2008, 45(5): 298-301. (inChinese)陈慧娟, 郭杰, 丁嘉欣, 等. InAs/GaSb 超晶格红外探测器台面湿法腐蚀研究[J]. 微纳电子技术, 2008, 45(5): 298-301.
  • [1] 刘宁, 周谷禹, 杨夕, 徐纪鹏, 洪琦琳, 黄先燕, 张检发, 刘肯, 朱志宏.  Si3N4/WS2/Al2O3三明治型纳米激光器结构参数优化 . 红外与激光工程, 2023, 52(6): 20230196-1-20230196-7. doi: 10.3788/IRLA20230196
    [2] 谭伊玫, 张硕, 罗宇宁, 郝群, 陈梦璐, 刘雁飞, 唐鑫.  640×512规模碲化汞量子点中波红外焦平面阵列(特邀) . 红外与激光工程, 2023, 52(7): 20230377-1-20230377-7. doi: 10.3788/IRLA20230377
    [3] 李建林, 谢刚, 刘炼, 陈晓燕, 董伟, 雷永畅.  碲镉汞焦平面阵列无效像元(盲元)特征与成因 . 红外与激光工程, 2021, 50(2): 20200202-1-20200202-12. doi: 10.3788/IRLA20200202
    [4] 尚超, 王锦春, 张晓兵.  红外焦平面阵列读出电路非均匀性研究 . 红外与激光工程, 2020, 49(8): 20190581-1-20190581-8. doi: 10.3788/IRLA20190581
    [5] 李国林, 袁子琪, 季文海.  应用于油田伴生气H2S气体检测实验研究 . 红外与激光工程, 2019, 48(8): 813005-0813005(7). doi: 10.3788/IRLA201948.0813005
    [6] 李建林, 张绍裕, 孙娟, 谢刚, 周嘉鼎, 马颖婷.  热应力加速试验评定碲镉汞焦平面阵列像元储存寿命 . 红外与激光工程, 2019, 48(10): 1004003-1004003(9). doi: 10.3788/IRLA201948.1004003
    [7] 刘子骥, 赵晟晨, 赵征庭, 李聿达, 郑兴, 张磊.  非制冷红外焦平面阵列器件的热时间常数测试方法 . 红外与激光工程, 2019, 48(12): 1204003-1204003(8). doi: 10.3788/IRLA201948.1204003
    [8] 余菲, 任栖锋, 李素钧, 金和.  低温背景下红外焦平面阵列的噪声分析 . 红外与激光工程, 2017, 46(3): 304003-0304003(6). doi: 10.3788/IRLA201746.0304003
    [9] 郑博, 王健, 许文斌, 王晓东, 孙强.  基于方向性模型的红外焦平面阵列混叠效应研究 . 红外与激光工程, 2016, 45(11): 1104001-1104001(6). doi: 10.3788/IRLA201645.1104001
    [10] 左杨平, 卢文壮, 张圣斌, 余亚平, 冯森, 左敦稳.  面向激光防护应用的金刚石/V2O5 膜系设计与制备 . 红外与激光工程, 2015, 44(8): 2491-2495.
    [11] 韩军, 范琳琳, 刘欢.  Al膜的微孔阵列湿法腐蚀技术研究 . 红外与激光工程, 2015, 44(10): 3055-3060.
    [12] 王宏杰, 高金富, 高扬, 董玥, 吕福云.  光泽金属的激光精密刻蚀实验研究 . 红外与激光工程, 2014, 43(5): 1473-1476.
    [13] 张红辉, 罗海波, 余新荣, 丁庆海.  采用特征直方图的红外焦平面阵列盲元检测方法 . 红外与激光工程, 2014, 43(6): 1807-1811.
    [14] 刘慧, 朱明超, 吴泽鹏, 郭玲玲, 赵其昌, 贾宏光, 宣明.  红外焦平面阵列非均匀性自适应校正方法 . 红外与激光工程, 2014, 43(5): 1364-1369.
    [15] 王雯, 张小雷, 吕衍秋, 司俊杰.  Si基InSb红外焦平面阵列探测器的研究 . 红外与激光工程, 2014, 43(5): 1359-1363.
    [16] 程吉凤, 朱耀明, 唐恒敬, 李雪, 邵秀梅, 李淘.  ICP刻蚀InGaAs的微观损伤机制研究 . 红外与激光工程, 2013, 42(8): 2186-2189.
    [17] 任建乐, 陈钱, 顾国华, 钱惟贤.  红外焦平面阵列条纹非均匀性校正方法 . 红外与激光工程, 2013, 42(8): 1987-1990.
    [18] 田超群, 魏冬寒, 刘磊, 高婷, 赵博, 李辉, 曲轶.  中红外半导体激光器GaSb基材料的刻蚀研究 . 红外与激光工程, 2013, 42(12): 3363-3366.
    [19] 赵保银, 段开椋, 赵卫, 钱凤臣.  2×2全光纤激光器阵列部分相干合成的实验研究 . 红外与激光工程, 2012, 41(1): 58-62.
    [20] 屈惠明, 陈钱.  环境温度补偿的红外焦平面阵列非均匀性校正 . 红外与激光工程, 2011, 40(12): 2328-2332.
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  412
  • HTML全文浏览量:  63
  • PDF下载量:  350
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2014-01-10
  • 修回日期:  2014-02-14
  • 刊出日期:  2014-09-25

InSb 红外焦平面阵列探测器湿法刻蚀

    作者简介:

    沈祥伟(1982- ),男,工程师,硕士,主要从事红外探测器技术方面的研究。Email:shenxw2008@sina.cn

基金项目:

中航工业集团公司技术创新基金(2011D01406)

  • 中图分类号: TN215

摘要: 随着大规模InSb 红外焦平面(FPA)器件的发展,探测器制备的传统湿法刻蚀工艺已越来越难以满足新工艺要求。介绍了一种用于制备InSb 红外焦平面探测器的新湿法刻蚀工艺:使用适当比例的柠檬酸/H2O2 系刻蚀剂代替现有乳酸/硝酸系刻蚀剂,同时采用N2 气泡搅拌刻蚀装置来辅助刻蚀。通过实验对比分析表明,新刻蚀工艺可以很好地解决原湿法刻蚀横向刻蚀和下切效应,提高了刻蚀均匀性和平整度,减小了表面粗糙度,并明显降低了InSb 器件的漏电流,提高了电性能。

English Abstract

参考文献 (19)

目录

    /

    返回文章
    返回