基于Talbot效应的电光调制位相阵列器

张进宏; 陈云琳

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基于Talbot效应的电光调制位相阵列器

张进宏, 陈云琳

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张进宏, 陈云琳. 基于Talbot效应的电光调制位相阵列器[J]. 红外与激光工程, 2014, 43(11): 3724-3728.

引用本文:

张进宏, 陈云琳. 基于Talbot效应的电光调制位相阵列器[J]. 红外与激光工程, 2014, 43(11): 3724-3728.

Zhang Jinhong, Chen Yunlin. Electro-optic tunable phase array based on Talbot effect[J]. Infrared and Laser Engineering, 2014, 43(11): 3724-3728.

Citation:

Zhang Jinhong, Chen Yunlin. Electro-optic tunable phase array based on Talbot effect[J]. Infrared and Laser Engineering, 2014, 43(11): 3724-3728.

基于Talbot效应的电光调制位相阵列器

1.
北京交通大学理学院,北京 100044

基金项目:

国家自然科学基金(61178052);中央高校基本科研业务费(2011JBM122,2011JBZ013)

详细信息

作者简介:
张进宏(1975-),男,工程师,博士生,主要从事光学材料及光子学微结构器件的研究.Email:jhzhang@bjtu.edu.cn

中图分类号: O436

Electro-optic tunable phase array based on Talbot effect

1.
School of Science,Beijing Jiaotong University,Beijing 100044,China

摘要: 利用周期极化反转的铌酸锂晶体设计与制备圆形周期单元六角结构排列的可调位相阵列器,对位相阵列器的Talbot效应光衍射成像进行理论和实验研究,得到了不同位相差和不同分数Talbot距离条件下阵列器近场衍射的理论仿真和实验观测图像,实验结果与理论研究相符.计算衍射场取样区域内平均强度,获得取样区内强度随位相差和Talbot距离变化的曲线,揭示了位相差和衍射位置对阵列器衍射强度分布的影响.
- 位相阵列器 /
- Talbot效应 /
- 铌酸锂 /
- 电光效应
Abstract: The tunable phase array with hexagon-lattice and round cell was designed and fabricated by use of periodically poled LiNbO3 crystal. Theoretical and experimental researches on the Talbot effect diffraction of phase array were presented. The simulated and experimental patterns of near field diffraction under various phases different and fraction Talbot distance were obtained. The results of experiment agreed with the results of the theoretical researches well. Average intensity of the selected area in diffraction field was calculated to get the relative intensity curves versus phase difference and distance. The effects on the intensity distribution of near-field diffraction from phase difference and Talbot distance were revealed.
- phase array /
- Talbot effect /
- LiNbO3 /
- electro-optic effect

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基于Talbot效应的电光调制位相阵列器

1. 北京交通大学理学院,北京 100044

作者简介:
张进宏(1975-),男,工程师,博士生,主要从事光学材料及光子学微结构器件的研究.Email:jhzhang@bjtu.edu.cn

收稿日期: 2014-03-12
修回日期: 2014-04-17
刊出日期: 2014-11-25

基金项目:

国家自然科学基金(61178052);中央高校基本科研业务费(2011JBM122,2011JBZ013)

中图分类号: O436

关键词:

摘要: 利用周期极化反转的铌酸锂晶体设计与制备圆形周期单元六角结构排列的可调位相阵列器,对位相阵列器的Talbot效应光衍射成像进行理论和实验研究,得到了不同位相差和不同分数Talbot距离条件下阵列器近场衍射的理论仿真和实验观测图像,实验结果与理论研究相符.计算衍射场取样区域内平均强度,获得取样区内强度随位相差和Talbot距离变化的曲线,揭示了位相差和衍射位置对阵列器衍射强度分布的影响.