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一种高带宽NP 型CMOS APD 的研究

王巍 王川 颜琳淑 杜超雨 王婷 王冠宇 王振 冯世娟

王巍, 王川, 颜琳淑, 杜超雨, 王婷, 王冠宇, 王振, 冯世娟. 一种高带宽NP 型CMOS APD 的研究[J]. 红外与激光工程, 2015, 44(2): 699-704.
引用本文: 王巍, 王川, 颜琳淑, 杜超雨, 王婷, 王冠宇, 王振, 冯世娟. 一种高带宽NP 型CMOS APD 的研究[J]. 红外与激光工程, 2015, 44(2): 699-704.
Wang Wei, Wang Chuan, Yan Linshu, Du Chaoyu, Wang Ting, Wang Guanyu, Wang Zhen, Feng Shijuan. NP type CMOS APD with high frequency bandwidth[J]. Infrared and Laser Engineering, 2015, 44(2): 699-704.
Citation: Wang Wei, Wang Chuan, Yan Linshu, Du Chaoyu, Wang Ting, Wang Guanyu, Wang Zhen, Feng Shijuan. NP type CMOS APD with high frequency bandwidth[J]. Infrared and Laser Engineering, 2015, 44(2): 699-704.

一种高带宽NP 型CMOS APD 的研究

基金项目: 

重庆市电子产业发展基金

详细信息
    作者简介:

    王巍(1967-),男,教授,博士,主要从事半导体光电、集成电路设计方面的研究。Email:frankwangw@163.com

    通讯作者: 王川(1988-),男,硕士生,主要从事半导体光电器件及系统设计方面的研究。Email:wc383676980@163.com
  • 中图分类号: TN722

NP type CMOS APD with high frequency bandwidth

  • 摘要: 提出了一种高带宽的硅基CMOS雪崩光电二极管(APD)器件。该器件在N阱/P衬底基本结构的基础上,增加一个N型深掩埋层,并在该掩埋层单独加上电压,以减小载流子的输运时间。通过理论分析确定了器件的结构参数,通过器件性能的仿真分析对相关参数进行了优化设计。仿真结果表明:采用标准0.18 m CMOS工艺,所设计的APD器件的窗口尺寸大小为20 m20 m,在反向偏压为16.3 V时,器件的雪崩增益为20,响应度为0.47 A/W,3 dB带宽为8.6 GHz。
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-06-08
  • 修回日期:  2014-07-03
  • 刊出日期:  2015-02-25

一种高带宽NP 型CMOS APD 的研究

    作者简介:

    王巍(1967-),男,教授,博士,主要从事半导体光电、集成电路设计方面的研究。Email:frankwangw@163.com

    通讯作者: 王川(1988-),男,硕士生,主要从事半导体光电器件及系统设计方面的研究。Email:wc383676980@163.com
基金项目:

重庆市电子产业发展基金

  • 中图分类号: TN722

摘要: 提出了一种高带宽的硅基CMOS雪崩光电二极管(APD)器件。该器件在N阱/P衬底基本结构的基础上,增加一个N型深掩埋层,并在该掩埋层单独加上电压,以减小载流子的输运时间。通过理论分析确定了器件的结构参数,通过器件性能的仿真分析对相关参数进行了优化设计。仿真结果表明:采用标准0.18 m CMOS工艺,所设计的APD器件的窗口尺寸大小为20 m20 m,在反向偏压为16.3 V时,器件的雪崩增益为20,响应度为0.47 A/W,3 dB带宽为8.6 GHz。

English Abstract

参考文献 (19)

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