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背照式高量子效率AlGaN日盲紫外探测器设计

赵文伯 周勋 李艳炯 申志辉 罗木昌

赵文伯, 周勋, 李艳炯, 申志辉, 罗木昌. 背照式高量子效率AlGaN日盲紫外探测器设计[J]. 红外与激光工程, 2013, 42(12): 3358-3362.
引用本文: 赵文伯, 周勋, 李艳炯, 申志辉, 罗木昌. 背照式高量子效率AlGaN日盲紫外探测器设计[J]. 红外与激光工程, 2013, 42(12): 3358-3362.
Zhao Wenbo, Zhou Xun, Li Yanjiong, Shen Zhihui, Luo Muchang. Design of back-illuminated solar-blind AlGaN photodetectors with high quantum efficiency[J]. Infrared and Laser Engineering, 2013, 42(12): 3358-3362.
Citation: Zhao Wenbo, Zhou Xun, Li Yanjiong, Shen Zhihui, Luo Muchang. Design of back-illuminated solar-blind AlGaN photodetectors with high quantum efficiency[J]. Infrared and Laser Engineering, 2013, 42(12): 3358-3362.

背照式高量子效率AlGaN日盲紫外探测器设计

详细信息
    作者简介:

    赵文伯(1966-),男,高级工程师,硕士,主要从事光电子器件方面的研究。Email:zhwb89@sina.cn

  • 中图分类号: TN21

Design of back-illuminated solar-blind AlGaN photodetectors with high quantum efficiency

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出版历程
  • 收稿日期:  2013-04-04
  • 修回日期:  2013-05-08
  • 刊出日期:  2013-12-25

背照式高量子效率AlGaN日盲紫外探测器设计

    作者简介:

    赵文伯(1966-),男,高级工程师,硕士,主要从事光电子器件方面的研究。Email:zhwb89@sina.cn

  • 中图分类号: TN21

摘要: 高量子效率、高UV/VIS抑制比、宽的光谱响应范围、快的响应速度是AlGaN紫外探测器设计追求的主要目标。为了获得适宜于紫外焦平面阵列的探测器结构,结合MOCVD外延材料生长的特点,采用模拟计算与实验相结合的方法,设计了背照式高量子效率AlGaN日盲探测器。详细介绍了背照式AlxGa1-xN-pin紫外探测器结构参数设计的依据和设计过程,并给出了设计结果,通过工艺实验,对设计结果进行了优化。应用设计结果进行了器件试制,经测试试制器件,其峰值响应波长为270 nm,光谱响应范围为250~282 nm,峰值量子效率达到了57%(0V),实验表明取得了比较理想的设计结果。

English Abstract

参考文献 (7)

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