InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料的ICP刻蚀

陈永远; 邓军; 史衍丽; 苗霈; 杨利鹏

InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料的ICP刻蚀

1.
北京工业大学北京市光电子技术实验室,北京 100124;
2.
昆明物理研究所,云南昆明 650223

基金项目:

国家自然科学基金（U1037602）

详细信息

作者简介:
陈永远（1987- ），男，硕士生，主要从事InAs/GaSb二类超晶格红外探测器方面的研究。 Email：chenyongyuan@emails.bjut.edu.cn；邓军（1969- ），男，副教授，博士，主要从事多量子阱红外探测器、多种半导体激光器及MOCVD外延制备的研究。Email：dengsu@bjut.edu.cn

陈永远（1987- ），男，硕士生，主要从事InAs/GaSb二类超晶格红外探测器方面的研究。 Email：chenyongyuan@emails.bjut.edu.cn；邓军（1969- ），男，副教授，博士，主要从事多量子阱红外探测器、多种半导体激光器及MOCVD外延制备的研究。Email：dengsu@bjut.edu.cn

中图分类号: TN215

ICP etching in InAs/GaSb type Ⅱ superlattice infrared detector material

1.
Laboratory of Beijing Photoelectron Technology,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China;
2.
Kunming Institute of Physics,Kunming 650223,China

摘要: 分别采用 Cl2/Ar和SiCl4/Ar作为刻蚀气体对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料进行ICP（Inductively Couple Plasma）刻蚀。结果表明，两种刻蚀气体的刻蚀深度与刻蚀时间都呈线性关系；在2 mTorr气压下，RF功率为50 W，SiCl4流量为3 sccm，Ar为9 sccm时，刻蚀速率为100 nm/min，且与材料的掺杂浓度无关。实验还表明，SiCl4/Ar作为刻蚀气体时，Ar流量在很大范围内对刻蚀速率没用明显影响，但Ar的流量越大，刻蚀的均匀性越好；用Cl2/Ar作为刻蚀气体时，刻蚀速率也是100 nm/min，但Ar流量对刻蚀速率有影响：当Ar流量小于3 sccm时，刻蚀速率随Ar流量的减小而明显降低。
- ICP刻蚀 /
- InAs/GaSb /
- 二类超晶格 /
- SiCl4/Ar /
- Cl2/Ar
Abstract: ICP (Inductively Couple Plasma) etching in InAs/GaSb type Ⅱ superlattice infrared detector material with Cl2/Ar and SiCl4/Ar were studied. The results show that the etching depth is linear with etching time for both etching gases. The etching rate is 100 nm/min at a set of conditions: RF power of 50 W, SiCl4 flow for 3 sccm, Ar to 9 sccm, the standard operating pressure is 2 mTorr. The etching rate did not depend on the doping concentration. The Ar flow fluctuation has no significant effect on etching rate when using SiCl4/Ar as the etch gases. But this condition exists in Cl2/Ar, especially when the flow of Ar under 3 sccm, and the etching rate droped with the reduction of Ar flow.
- InAs/GaSb type /
- Ⅱ superlattice /
- SiCl4/Ar /
- Cl2/Ar ICP etch /

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ICP etching in InAs/GaSb type Ⅱ superlattice infrared detector material

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InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料的ICP刻蚀

1. 北京工业大学北京市光电子技术实验室,北京 100124;

2. 昆明物理研究所,云南昆明 650223

English Abstract

ICP etching in InAs/GaSb type Ⅱ superlattice infrared detector material

1. Laboratory of Beijing Photoelectron Technology,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China;

2. Kunming Institute of Physics,Kunming 650223,China

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1. 北京工业大学 北京市光电子技术实验室,北京 100124; 2. 昆明物理研究所,云南 昆明 650223

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1. Laboratory of Beijing Photoelectron Technology,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China; 2. Kunming Institute of Physics,Kunming 650223,China

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2. Kunming Institute of Physics,Kunming 650223,China