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两种氧化方法对InSb探测器钝化效果的研究

刘炜

刘炜. 两种氧化方法对InSb探测器钝化效果的研究[J]. 红外与激光工程, 2013, 42(7): 1815-1818.
引用本文: 刘炜. 两种氧化方法对InSb探测器钝化效果的研究[J]. 红外与激光工程, 2013, 42(7): 1815-1818.
Liu Wei. Passivation of InSb detector with two oxide method[J]. Infrared and Laser Engineering, 2013, 42(7): 1815-1818.
Citation: Liu Wei. Passivation of InSb detector with two oxide method[J]. Infrared and Laser Engineering, 2013, 42(7): 1815-1818.

两种氧化方法对InSb探测器钝化效果的研究

基金项目: 

国家自然科学基金(6171012)

详细信息
    作者简介:

    刘炜(1978-),男,工程师,主要从事红外探测器方面的研究。Email:liuweiplayer@sina.com

  • 中图分类号: TN21

Passivation of InSb detector with two oxide method

  • 摘要: 比较了阳极氧化和Photo-CVD氧化两种钝化方式制备InSb 探测器的性能,结果表明前者反偏漏电流小,击穿电压是后者的5倍,背景光电流和零偏阻抗基本相同。C-V测试结果:前者固定表面电荷密度为21011 cm-2,后者为1.51011 cm-2。两种氧化方法制备的器件经过高温高湿老化试验后,在反偏1 V时,阳极氧化器件漏电比变化率只有Photo-CVD氧化器件的50%,二者背景光电流均有增加,可能与器件光敏面扩大有关。阳极氧化钝化方法,工艺过程易于控制,钝化效果一致性较好,器件的界面状态更加稳定。
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-11-07
  • 修回日期:  2012-12-03
  • 刊出日期:  2013-07-25

两种氧化方法对InSb探测器钝化效果的研究

    作者简介:

    刘炜(1978-),男,工程师,主要从事红外探测器方面的研究。Email:liuweiplayer@sina.com

基金项目:

国家自然科学基金(6171012)

  • 中图分类号: TN21

摘要: 比较了阳极氧化和Photo-CVD氧化两种钝化方式制备InSb 探测器的性能,结果表明前者反偏漏电流小,击穿电压是后者的5倍,背景光电流和零偏阻抗基本相同。C-V测试结果:前者固定表面电荷密度为21011 cm-2,后者为1.51011 cm-2。两种氧化方法制备的器件经过高温高湿老化试验后,在反偏1 V时,阳极氧化器件漏电比变化率只有Photo-CVD氧化器件的50%,二者背景光电流均有增加,可能与器件光敏面扩大有关。阳极氧化钝化方法,工艺过程易于控制,钝化效果一致性较好,器件的界面状态更加稳定。

English Abstract

参考文献 (15)

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