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Cs量与Cs2Te光阴极紫外-可见光抑制比关系研究

刘晖 张连东 冯刘 程宏昌 高翔 苗壮

刘晖, 张连东, 冯刘, 程宏昌, 高翔, 苗壮. Cs量与Cs2Te光阴极紫外-可见光抑制比关系研究[J]. 红外与激光工程, 2014, 43(3): 940-943.
引用本文: 刘晖, 张连东, 冯刘, 程宏昌, 高翔, 苗壮. Cs量与Cs2Te光阴极紫外-可见光抑制比关系研究[J]. 红外与激光工程, 2014, 43(3): 940-943.
Liu Hui, Zhang Liandong, Feng Liu, Cheng Hongchang, Gao Xiang, Miao Zhuang. Study of Cs content on UV-visible rejection ratio of Cs2Te photocathode[J]. Infrared and Laser Engineering, 2014, 43(3): 940-943.
Citation: Liu Hui, Zhang Liandong, Feng Liu, Cheng Hongchang, Gao Xiang, Miao Zhuang. Study of Cs content on UV-visible rejection ratio of Cs2Te photocathode[J]. Infrared and Laser Engineering, 2014, 43(3): 940-943.

Cs量与Cs2Te光阴极紫外-可见光抑制比关系研究

基金项目: 

微光夜视技术重点实验室基金(J20110102)

详细信息
    作者简介:

    刘晖(1980-),男,工程师,主要从事Ⅲ-Ⅴ族半导体光阴极研究。Email:liuhui_angel@163.com

  • 中图分类号: TN23

Study of Cs content on UV-visible rejection ratio of Cs2Te photocathode

  • 摘要: 紫外-可见光抑制比是决定全天时紫外探测成像系统信噪比的一个重要参数。为了研究激活时Cs 量对Cs2Te 紫外光阴极紫外-可见光抑制比(S280 nm/S320 nm)的影响,利用三组不同Cs 量的多次激活实验,通过分别对比紫外-可见光抑制比结果和200~400 nm 的光谱响应曲线,得到不同Cs 量激活的Cs2Te 光阴极其紫外-可见光抑制比在4.0~7.6 之间变化。随着Cs 量的增大,紫外光阴极的积分灵敏度相应增长,主要体现在260~320 nm,但峰值256 nm 处的辐射灵敏度增长不明显。重点分析了激活时Cs 量对大于320 nm 波长范围光谱响应的影响。
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-07-05
  • 修回日期:  2013-08-03
  • 刊出日期:  2014-03-25

Cs量与Cs2Te光阴极紫外-可见光抑制比关系研究

    作者简介:

    刘晖(1980-),男,工程师,主要从事Ⅲ-Ⅴ族半导体光阴极研究。Email:liuhui_angel@163.com

基金项目:

微光夜视技术重点实验室基金(J20110102)

  • 中图分类号: TN23

摘要: 紫外-可见光抑制比是决定全天时紫外探测成像系统信噪比的一个重要参数。为了研究激活时Cs 量对Cs2Te 紫外光阴极紫外-可见光抑制比(S280 nm/S320 nm)的影响,利用三组不同Cs 量的多次激活实验,通过分别对比紫外-可见光抑制比结果和200~400 nm 的光谱响应曲线,得到不同Cs 量激活的Cs2Te 光阴极其紫外-可见光抑制比在4.0~7.6 之间变化。随着Cs 量的增大,紫外光阴极的积分灵敏度相应增长,主要体现在260~320 nm,但峰值256 nm 处的辐射灵敏度增长不明显。重点分析了激活时Cs 量对大于320 nm 波长范围光谱响应的影响。

English Abstract

参考文献 (17)

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