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CdTe-HgCdTe叠层太阳电池CdS窗口层透射光谱性能研究

郭珉 朱秀荣 李贺军

郭珉, 朱秀荣, 李贺军. CdTe-HgCdTe叠层太阳电池CdS窗口层透射光谱性能研究[J]. 红外与激光工程, 2016, 45(6): 621003-0621003(6). doi: 10.3788/IRLA201645.0621003
引用本文: 郭珉, 朱秀荣, 李贺军. CdTe-HgCdTe叠层太阳电池CdS窗口层透射光谱性能研究[J]. 红外与激光工程, 2016, 45(6): 621003-0621003(6). doi: 10.3788/IRLA201645.0621003
Guo Min, Zhu Xiurong, Li Hejun. Optical transmittance properties for CdS films in CdTe-HgCdTe tandem solar cells[J]. Infrared and Laser Engineering, 2016, 45(6): 621003-0621003(6). doi: 10.3788/IRLA201645.0621003
Citation: Guo Min, Zhu Xiurong, Li Hejun. Optical transmittance properties for CdS films in CdTe-HgCdTe tandem solar cells[J]. Infrared and Laser Engineering, 2016, 45(6): 621003-0621003(6). doi: 10.3788/IRLA201645.0621003

CdTe-HgCdTe叠层太阳电池CdS窗口层透射光谱性能研究

doi: 10.3788/IRLA201645.0621003
基金项目: 

宁波市科技创新团队项目(2011B81004);红外物理国家重点实验室开放课题(K201311)

详细信息
    作者简介:

    郭珉(1975-),女,博士生,主要从事太阳能电池和材料方面的研究工作。Email:guomin-2014@sohu.com

  • 中图分类号: TN213

Optical transmittance properties for CdS films in CdTe-HgCdTe tandem solar cells

  • 摘要: CdS窗口层光谱透射率的提高对CdTe-HgCdTe叠层太阳电池有效利用入射太阳光并增大电池的短路电流密度有重要的影响。通过研究化学水浴法、近空间升华法和磁控溅射法制备的CdS薄膜在CdCl2退火前后的光谱平均透过率和短路电流密度损失表明:在光谱区520~820 nm,化学水浴法制备的CdS薄膜在退火前后具有最高的光谱平均透过率,对应的CdTe顶电池有最小的短路电流密度损失;在光谱区820~1150和520~1150 nm,磁控溅射法制备的CdS薄膜在退火前后均具有最高的光谱平均透过率,对应的HgCdTe底电池和CdTe-HgCdTe叠层太阳电池有最小的短路电流密度损失。在光谱区520~820、820~1150和520~1150 nm,CdCl2退火可以显著增大CdS薄膜的光谱平均透过率,降低对应CdTe顶电池、HgCdTe底电池和CdTe-HgCdTe叠层电池的短路电流密度损失。
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-10-12
  • 修回日期:  2015-11-06
  • 刊出日期:  2016-06-25

CdTe-HgCdTe叠层太阳电池CdS窗口层透射光谱性能研究

doi: 10.3788/IRLA201645.0621003
    作者简介:

    郭珉(1975-),女,博士生,主要从事太阳能电池和材料方面的研究工作。Email:guomin-2014@sohu.com

基金项目:

宁波市科技创新团队项目(2011B81004);红外物理国家重点实验室开放课题(K201311)

  • 中图分类号: TN213

摘要: CdS窗口层光谱透射率的提高对CdTe-HgCdTe叠层太阳电池有效利用入射太阳光并增大电池的短路电流密度有重要的影响。通过研究化学水浴法、近空间升华法和磁控溅射法制备的CdS薄膜在CdCl2退火前后的光谱平均透过率和短路电流密度损失表明:在光谱区520~820 nm,化学水浴法制备的CdS薄膜在退火前后具有最高的光谱平均透过率,对应的CdTe顶电池有最小的短路电流密度损失;在光谱区820~1150和520~1150 nm,磁控溅射法制备的CdS薄膜在退火前后均具有最高的光谱平均透过率,对应的HgCdTe底电池和CdTe-HgCdTe叠层太阳电池有最小的短路电流密度损失。在光谱区520~820、820~1150和520~1150 nm,CdCl2退火可以显著增大CdS薄膜的光谱平均透过率,降低对应CdTe顶电池、HgCdTe底电池和CdTe-HgCdTe叠层电池的短路电流密度损失。

English Abstract

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