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CdTe/ZnS复合钝化层对长波碲镉汞器件性能的影响研究

李雄军 韩福忠 李东升 李立华 胡彦博 孔金丞 赵俊 秦强 朱颖峰 庄继胜 姬荣斌

李雄军, 韩福忠, 李东升, 李立华, 胡彦博, 孔金丞, 赵俊, 秦强, 朱颖峰, 庄继胜, 姬荣斌. CdTe/ZnS复合钝化层对长波碲镉汞器件性能的影响研究[J]. 红外与激光工程, 2016, 45(9): 904001-0904001(7). doi: 10.3788/IRLA201645.0904001
引用本文: 李雄军, 韩福忠, 李东升, 李立华, 胡彦博, 孔金丞, 赵俊, 秦强, 朱颖峰, 庄继胜, 姬荣斌. CdTe/ZnS复合钝化层对长波碲镉汞器件性能的影响研究[J]. 红外与激光工程, 2016, 45(9): 904001-0904001(7). doi: 10.3788/IRLA201645.0904001
Li Xiongjun, Han Fuzhong, Li Dongsheng, Li Lihua, Hu Yanbo, Kong Jincheng, Zhao Jun, Qin Qiang, Zhu Yingfeng, Zhuang Jisheng, Ji Rongbin. Study of CdTe/ZnS composite passivation layer effect on the performance of LW HgCdTe device[J]. Infrared and Laser Engineering, 2016, 45(9): 904001-0904001(7). doi: 10.3788/IRLA201645.0904001
Citation: Li Xiongjun, Han Fuzhong, Li Dongsheng, Li Lihua, Hu Yanbo, Kong Jincheng, Zhao Jun, Qin Qiang, Zhu Yingfeng, Zhuang Jisheng, Ji Rongbin. Study of CdTe/ZnS composite passivation layer effect on the performance of LW HgCdTe device[J]. Infrared and Laser Engineering, 2016, 45(9): 904001-0904001(7). doi: 10.3788/IRLA201645.0904001

CdTe/ZnS复合钝化层对长波碲镉汞器件性能的影响研究

doi: 10.3788/IRLA201645.0904001
基金项目: 

国防973项目(613230);云南省创新团队计划(2014HC020)

详细信息
    作者简介:

    李雄军(1984-),男,博士生,主要从事红外探测器材料与器件方面的研究。Email:lixiongjun666@126.com

  • 中图分类号: TN215

Study of CdTe/ZnS composite passivation layer effect on the performance of LW HgCdTe device

  • 摘要: 采用CdTe/ZnS复合钝化技术对长波HgCdTe薄膜进行表面钝化,并对钝化膜生长工艺进行了改进。采用不同钝化工艺分别制备了MIS器件和二极管器件,并进行了SEM、C-V和I-V表征分析,研究了HgCdTe/钝化层之间的界面特性及其对器件性能的影响。结果表明,钝化工艺改进后所生长的CdTe薄膜更为致密且无大的孔洞,CdTe/HgCdTe界面晶格结构有序度获得改善;采用改进的钝化工艺制备的MIS器件C-V测试曲线呈现高频特性,界面固定电荷面密度从改进前的1.671011 cm-2下降至5.691010 cm-2;采用常规钝化工艺制备的二极管器件在较高反向偏压下出现较大的表面沟道漏电流,新工艺制备的器件表面漏电现象获得了有效抑制。
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出版历程
  • 收稿日期:  2016-01-05
  • 修回日期:  2016-02-03
  • 刊出日期:  2016-09-25

CdTe/ZnS复合钝化层对长波碲镉汞器件性能的影响研究

doi: 10.3788/IRLA201645.0904001
    作者简介:

    李雄军(1984-),男,博士生,主要从事红外探测器材料与器件方面的研究。Email:lixiongjun666@126.com

基金项目:

国防973项目(613230);云南省创新团队计划(2014HC020)

  • 中图分类号: TN215

摘要: 采用CdTe/ZnS复合钝化技术对长波HgCdTe薄膜进行表面钝化,并对钝化膜生长工艺进行了改进。采用不同钝化工艺分别制备了MIS器件和二极管器件,并进行了SEM、C-V和I-V表征分析,研究了HgCdTe/钝化层之间的界面特性及其对器件性能的影响。结果表明,钝化工艺改进后所生长的CdTe薄膜更为致密且无大的孔洞,CdTe/HgCdTe界面晶格结构有序度获得改善;采用改进的钝化工艺制备的MIS器件C-V测试曲线呈现高频特性,界面固定电荷面密度从改进前的1.671011 cm-2下降至5.691010 cm-2;采用常规钝化工艺制备的二极管器件在较高反向偏压下出现较大的表面沟道漏电流,新工艺制备的器件表面漏电现象获得了有效抑制。

English Abstract

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