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国产电阻阵列技术的发展趋势

马斌 程正喜 翟厚明 郭中原 刘强 张学敏 丁毅 陈瑶

马斌, 程正喜, 翟厚明, 郭中原, 刘强, 张学敏, 丁毅, 陈瑶. 国产电阻阵列技术的发展趋势[J]. 红外与激光工程, 2011, 40(12): 2314-2322.
引用本文: 马斌, 程正喜, 翟厚明, 郭中原, 刘强, 张学敏, 丁毅, 陈瑶. 国产电阻阵列技术的发展趋势[J]. 红外与激光工程, 2011, 40(12): 2314-2322.
MA Bin, CHENG Zheng-Xi, DI Hou-Ming, GUO Zhong-Yuan, LIU Qiang, ZHANG Xue-Min, DING Yi, CHEN Yao. Development of domestic resistive arrays technology[J]. Infrared and Laser Engineering, 2011, 40(12): 2314-2322.
Citation: MA Bin, CHENG Zheng-Xi, DI Hou-Ming, GUO Zhong-Yuan, LIU Qiang, ZHANG Xue-Min, DING Yi, CHEN Yao. Development of domestic resistive arrays technology[J]. Infrared and Laser Engineering, 2011, 40(12): 2314-2322.

国产电阻阵列技术的发展趋势

Development of domestic resistive arrays technology

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出版历程
  • 刊出日期:  2011-12-25

国产电阻阵列技术的发展趋势

摘要: 回顾和总结了国产电阻阵列3 个发展阶段的主要技术方案、优缺点和最终结果。第一代64 64 电阻阵列采用了体材料微机械加工的单晶硅薄膜微型电阻, 成品率较高但与CMOS 工艺不兼容、均匀性差、功耗大、占空比极低、规模小;第二代128128 和256256 电阻阵列采用了体材料微机械加工的复合薄膜微型电阻,基本解决了工艺兼容性、均匀性、功耗等方面的问题,但占空比和规模提高有限;第三代128128 复合悬浮薄膜电阻阵列采用了薄膜转移技术,占空比显著提高,功耗明显下降,该技术有望成为今后国产电阻阵列的主流制造技术,但技术成熟度有待进一步提高。最后,对国产电阻阵列未来技术发展进行了展望、分析和探讨。

English Abstract

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