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均匀掺杂GaAs光阴极表面势垒特性研究

张连东 冯刘 刘晖 程宏昌 高翔 苗壮

张连东, 冯刘, 刘晖, 程宏昌, 高翔, 苗壮. 均匀掺杂GaAs光阴极表面势垒特性研究[J]. 红外与激光工程, 2013, 42(8): 2181-2185.
引用本文: 张连东, 冯刘, 刘晖, 程宏昌, 高翔, 苗壮. 均匀掺杂GaAs光阴极表面势垒特性研究[J]. 红外与激光工程, 2013, 42(8): 2181-2185.
Zhang Liandong, Feng Liu, Liu Hui, Cheng Hongchang, Gao Xiang, Miao Zhuang. Characteristic of surface barrier of epuably-doped GaAs photocathode[J]. Infrared and Laser Engineering, 2013, 42(8): 2181-2185.
Citation: Zhang Liandong, Feng Liu, Liu Hui, Cheng Hongchang, Gao Xiang, Miao Zhuang. Characteristic of surface barrier of epuably-doped GaAs photocathode[J]. Infrared and Laser Engineering, 2013, 42(8): 2181-2185.

均匀掺杂GaAs光阴极表面势垒特性研究

基金项目: 

微光夜视技术重点实验室基金(J20110102)

详细信息
    作者简介:

    张连东(1981-),男,工程师,硕士,主要从事Ⅲ-Ⅴ族半导体光阴极方面的研究。Email:qf963@sohu.com

  • 中图分类号: TN223

Characteristic of surface barrier of epuably-doped GaAs photocathode

  • 摘要: 根据激活过程中光电流变化规律及原位光谱响应测试,模拟了GaAs光阴极表面势垒的形成过程,在光阴极表面双偶极子模型的基础上作了修正,建立了三偶极子模型。新模型认为,光阴极表面势垒由三个偶极层套构而成,第一偶极层由GaAs(Zn)-Cs+偶极子组成,第二偶极层由Cs2O偶极子组成,第三偶极层由GaAs-O-Cs偶极子组成,第二、三偶极层嵌入第一偶极层中。根据隧道效应与量子效率测试结果,确立了势垒中分段均匀的电势分布,计算得出势垒宽度为1.65 nm,有效电子亲和势为-0.44 eV。新模型的建立对理解光电阴极表面发射机理具有重要意义。
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-12-03
  • 修回日期:  2013-01-10
  • 刊出日期:  2013-08-25

均匀掺杂GaAs光阴极表面势垒特性研究

    作者简介:

    张连东(1981-),男,工程师,硕士,主要从事Ⅲ-Ⅴ族半导体光阴极方面的研究。Email:qf963@sohu.com

基金项目:

微光夜视技术重点实验室基金(J20110102)

  • 中图分类号: TN223

摘要: 根据激活过程中光电流变化规律及原位光谱响应测试,模拟了GaAs光阴极表面势垒的形成过程,在光阴极表面双偶极子模型的基础上作了修正,建立了三偶极子模型。新模型认为,光阴极表面势垒由三个偶极层套构而成,第一偶极层由GaAs(Zn)-Cs+偶极子组成,第二偶极层由Cs2O偶极子组成,第三偶极层由GaAs-O-Cs偶极子组成,第二、三偶极层嵌入第一偶极层中。根据隧道效应与量子效率测试结果,确立了势垒中分段均匀的电势分布,计算得出势垒宽度为1.65 nm,有效电子亲和势为-0.44 eV。新模型的建立对理解光电阴极表面发射机理具有重要意义。

English Abstract

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