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用于全内腔微片激光器稳频的温度控制系统

张亦男 谈宜东 张书练

张亦男, 谈宜东, 张书练. 用于全内腔微片激光器稳频的温度控制系统[J]. 红外与激光工程, 2012, 41(1): 101-106.
引用本文: 张亦男, 谈宜东, 张书练. 用于全内腔微片激光器稳频的温度控制系统[J]. 红外与激光工程, 2012, 41(1): 101-106.
ZHANG Yi-Nan, TAN Yi-Dong, ZHANG Shu-Lian. Temperature control system for frequency stabilization of total internal cavity microchip laser[J]. Infrared and Laser Engineering, 2012, 41(1): 101-106.
Citation: ZHANG Yi-Nan, TAN Yi-Dong, ZHANG Shu-Lian. Temperature control system for frequency stabilization of total internal cavity microchip laser[J]. Infrared and Laser Engineering, 2012, 41(1): 101-106.

用于全内腔微片激光器稳频的温度控制系统

Temperature control system for frequency stabilization of total internal cavity microchip laser

  • 摘要: 温度控制是实现全内腔半导体泵浦Nd:YAG微片激光器稳频的行之有效的手段之一。研究了如何为Nd:YAG微片激光器的稳频提供有效的温控方式。估算出所需要的控温精度波动范围在0.09 ℃以内。依据这一设计目标,介绍了各重要环节的设计过程。通过频域分析法,对温控系统的特性进行分析与调整。通过理论计算将系统改造成了二阶系统最优模型并用实验验证了理论分析。研制了一套用于全内腔半导体泵浦Nd:YAG微片激光器的温控系统,并在两种条件下对系统进行了测试。在室温26 ℃左右的条件下,可以给微片提供18~38 ℃之间的任意温度环境,温度波动范围在0.05 ℃以内;当环境温度在18 ~27 ℃之间任意改变时,系统能将晶片温度稳定在24 ℃,温度波动范围在0.05 ℃以内。
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出版历程
  • 刊出日期:  2012-01-25

用于全内腔微片激光器稳频的温度控制系统

摘要: 温度控制是实现全内腔半导体泵浦Nd:YAG微片激光器稳频的行之有效的手段之一。研究了如何为Nd:YAG微片激光器的稳频提供有效的温控方式。估算出所需要的控温精度波动范围在0.09 ℃以内。依据这一设计目标,介绍了各重要环节的设计过程。通过频域分析法,对温控系统的特性进行分析与调整。通过理论计算将系统改造成了二阶系统最优模型并用实验验证了理论分析。研制了一套用于全内腔半导体泵浦Nd:YAG微片激光器的温控系统,并在两种条件下对系统进行了测试。在室温26 ℃左右的条件下,可以给微片提供18~38 ℃之间的任意温度环境,温度波动范围在0.05 ℃以内;当环境温度在18 ~27 ℃之间任意改变时,系统能将晶片温度稳定在24 ℃,温度波动范围在0.05 ℃以内。

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