高功率980nm非对称宽波导半导体激光器设计

徐正文; 曲轶; 王钰智; 高婷; 王鑫

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高功率980nm非对称宽波导半导体激光器设计

徐正文, 曲轶, 王钰智, 高婷, 王鑫

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徐正文, 曲轶, 王钰智, 高婷, 王鑫. 高功率980nm非对称宽波导半导体激光器设计[J]. 红外与激光工程, 2014, 43(4): 1094-1098.

引用本文:

徐正文, 曲轶, 王钰智, 高婷, 王鑫. 高功率980nm非对称宽波导半导体激光器设计[J]. 红外与激光工程, 2014, 43(4): 1094-1098.

Xu Zhengwen, Qu Yi, Wang Yuzhi, Gao Ting, Wang Xin. Simulation analysis of high power asymmetric 980 nm broad-waveguide diode lasers[J]. Infrared and Laser Engineering, 2014, 43(4): 1094-1098.

Citation:

Xu Zhengwen, Qu Yi, Wang Yuzhi, Gao Ting, Wang Xin. Simulation analysis of high power asymmetric 980 nm broad-waveguide diode lasers[J]. Infrared and Laser Engineering, 2014, 43(4): 1094-1098.

高功率980nm非对称宽波导半导体激光器设计

1.
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022

基金项目:

吉林省科技发展计划（20111810）

详细信息

作者简介:
徐正文（1989- ），男，硕士生，主要从事半导体激光器结构方面的研究。Email：superxzw531@gmail.com

中图分类号: TN248.4

Simulation analysis of high power asymmetric 980 nm broad-waveguide diode lasers

1.
National Key Laboratory on High Power Semiconductor Laser of Changchun University of Science and Technology,Changchun 130022,China

摘要: 设计了980nm非对称宽波导InGaAs/InGaAsP量子阱激光器，并在结构中插入电流阻挡层，有效地阻止载流子的泄露。用LASTIP软件对980nm非对称宽波导量子阱激光器进行理论模拟，与传统的980nm对称宽波导量子阱激光器相比，非对称宽波导量子阱激光器波导和量子阱之间有更小的能带差，非对称宽波导结构具有更低的阈值电流，更高的斜效率以及更低的阻抗，所以带有电流阻挡层的980nm非对称宽波导InGaAs/InGaAsP量子阱激光器有更高的光电转换效率和输出功率。
- 非对称宽波导 /
- 激光器 /
- 高功率 /
- 电流阻挡层
Abstract: The design of asymmetric 980 nm InGaAs/InGaAsP broad-waveguide diode lasers with current blocking layer was designed for high-power, which prevents carrier leakage and increases electro-optical conversion efficiency. The properties of the 980 nm asymmetric waveguide quantum well structure lasers were numerically studied with a commercial LASTIP simulation program. Compared to symmetric structure, the lasers with asymmetric waveguide have a smaller band offset between waveguide and QW. The simulation results show that the asymmetric waveguide has a lower threshold current and higher slope efficiency, lower series resistance than symmetric waveguide the structure, so laser performance of asymmetric 980 nm InGaAs/InGaAsP broad-waveguide diode lasers with current blocking layer has higher electro-optical conversion efficiency and laser output power.
- asymmetric broad waveguide /
- laser diode /
- high power /
- current blocking layer

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高功率980nm非对称宽波导半导体激光器设计

1. 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022

作者简介:
徐正文（1989- ），男，硕士生，主要从事半导体激光器结构方面的研究。Email：superxzw531@gmail.com

收稿日期: 2013-08-21
修回日期: 2013-09-25
刊出日期: 2014-04-25

基金项目:

吉林省科技发展计划（20111810）

中图分类号: TN248.4

关键词:

摘要: 设计了980nm非对称宽波导InGaAs/InGaAsP量子阱激光器，并在结构中插入电流阻挡层，有效地阻止载流子的泄露。用LASTIP软件对980nm非对称宽波导量子阱激光器进行理论模拟，与传统的980nm对称宽波导量子阱激光器相比，非对称宽波导量子阱激光器波导和量子阱之间有更小的能带差，非对称宽波导结构具有更低的阈值电流，更高的斜效率以及更低的阻抗，所以带有电流阻挡层的980nm非对称宽波导InGaAs/InGaAsP量子阱激光器有更高的光电转换效率和输出功率。