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高功率980nm非对称宽波导半导体激光器设计

徐正文 曲轶 王钰智 高婷 王鑫

徐正文, 曲轶, 王钰智, 高婷, 王鑫. 高功率980nm非对称宽波导半导体激光器设计[J]. 红外与激光工程, 2014, 43(4): 1094-1098.
引用本文: 徐正文, 曲轶, 王钰智, 高婷, 王鑫. 高功率980nm非对称宽波导半导体激光器设计[J]. 红外与激光工程, 2014, 43(4): 1094-1098.
Xu Zhengwen, Qu Yi, Wang Yuzhi, Gao Ting, Wang Xin. Simulation analysis of high power asymmetric 980 nm broad-waveguide diode lasers[J]. Infrared and Laser Engineering, 2014, 43(4): 1094-1098.
Citation: Xu Zhengwen, Qu Yi, Wang Yuzhi, Gao Ting, Wang Xin. Simulation analysis of high power asymmetric 980 nm broad-waveguide diode lasers[J]. Infrared and Laser Engineering, 2014, 43(4): 1094-1098.

高功率980nm非对称宽波导半导体激光器设计

基金项目: 

吉林省科技发展计划(20111810)

详细信息
    作者简介:

    徐正文(1989- ),男,硕士生,主要从事半导体激光器结构方面的研究。Email:superxzw531@gmail.com

  • 中图分类号: TN248.4

Simulation analysis of high power asymmetric 980 nm broad-waveguide diode lasers

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出版历程
  • 收稿日期:  2013-08-21
  • 修回日期:  2013-09-25
  • 刊出日期:  2014-04-25

高功率980nm非对称宽波导半导体激光器设计

    作者简介:

    徐正文(1989- ),男,硕士生,主要从事半导体激光器结构方面的研究。Email:superxzw531@gmail.com

基金项目:

吉林省科技发展计划(20111810)

  • 中图分类号: TN248.4

摘要: 设计了980nm非对称宽波导InGaAs/InGaAsP量子阱激光器,并在结构中插入电流阻挡层,有效地阻止载流子的泄露。用LASTIP软件对980nm非对称宽波导量子阱激光器进行理论模拟,与传统的980nm对称宽波导量子阱激光器相比,非对称宽波导量子阱激光器波导和量子阱之间有更小的能带差,非对称宽波导结构具有更低的阈值电流,更高的斜效率以及更低的阻抗,所以带有电流阻挡层的980nm非对称宽波导InGaAs/InGaAsP量子阱激光器有更高的光电转换效率和输出功率。

English Abstract

参考文献 (15)

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