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为了测试微腔的谐振峰特性,搭建了微腔耦合的测试系统,如图3(a)所示。系统使用可调谐连续波激光器(CTL1550_Toptica)作为光源,经过锥腰直径约为3 μm的锥形光纤波导实现SiO2微腔的耦合。通过扫描激光频率,可以在示波器(OSC)中观察微腔的透射信号,并研判谐振峰的特性。当激光频率调谐速度为2.5 GHz/s,测得的微腔透射谱如图3(b)所示,由测得的结果可知,其FSR为17.8 GHz。采用洛伦兹线形对各个谐振峰进行拟合,结果显示微腔中最佳的Q值约为3.87×108,如图3(c)所示;当激光调谐速度为350 GHz/s,实验中观察到谐振峰出现了振荡衰退(Ring down)现象,如图3(d)所示。理论上[37],一个谐振模式内腔场的时间演化可以描述为一个简单的谐振模型,即:
Figure 3. Measurement of resonant peak of SiO2 microcavity. (a) Schematic diagram of microcavity coupling test; (b) Power transmission spectrum of microcavity; (c) Lorentz fitting spectral line; (d) Ringdown fitting
式中:
$ {\omega }_{0} $ 为谐振角频率;$ k $ 为系统总损耗率,包括固有损耗率$ {k}_{0} $ 和耦合损耗率$ {k}_{ex} $ ,即$ k={k}_{0}+{k}_{ex} $ ;$ {s}_{in} $ 为外部源,在频率可调的连续波模式下,其变化${s}_{in}={s}_{0}{\rm exp}\left(i\phi \left(t\right)\right)$ 。在稳态形式下,即相对于其初始值$ {\omega }_{i} $ 的激光频率调谐与腔内光子寿命相比缓慢变化,笔者得到$ \phi \left(t\right)={\omega }_{i}t $ ,公式(1)的解给出了作为激光失谐$ {\delta }_{\omega }={\omega }_{i}-{\omega }_{0} $ 函数的标准洛伦兹分布。相反,在激光频率调谐与光子寿命相当的条件下,得到$ \phi \left(t\right)=\left({\omega }_{i}+\dfrac{{V}_{s}t}{2}\right)t $ ,其中,$ {V}_{s} $ 为激光频率的调谐速度。因此,设$A=a\cdot {\rm exp}\left(i\phi \left(t\right)\right)$ ,公式(1)可以变换为:对上式积分可得:
其中,
式中:erf(z)为复误差函数。腔透射率可以计算为:
注意,使用公式(4)进行拟合将确定地返回耦合率kex作为整体损耗率k的一部分,从而可以区分腔体的耦合状态(过度耦合或欠耦合)。
通过对实验观察到的Ringdown曲线进行拟合,结果显示谐振峰对应的固有品质因子为:
${Q}_{0}= {{\omega }_{0}}/{k}_{0}=7.32\times {10}^{8}$ ,耦合品质因子为$ {Q}_{e}=9.86\times {10}^{8} $ 。以及总体的品质因子Q值为:$ {1}/{{Q}_{0}}+{1}/{{Q}_{e}}=4.2\times {10}^{8} $ ,该结果与低速频率调谐下洛伦兹拟合的谐振峰Q值相似。因此,笔者验证了Q值超过108的SiO2回音壁模式微腔。 -
为了研究微腔的耦合特性,笔者通过实验测得微腔的耦合理想曲线(Ideality)。首先,通过调整光纤锥和微腔的耦合状态,找到一个耦合效率较高的位置,此时,再将光纤锥移至远离微腔的位置处;然后,将光纤锥从远处慢慢靠近微腔,在这个过程中采集同一模式下的谐振峰的数据,利用洛伦兹曲线对采集的谐振峰数据进行拟合,得到了不同耦合状态下的谐振峰数据。最后,通过拟合得到微腔谐振峰深度和线宽Ideality曲线,如图4所示。
需要说明的是,本征损耗主要由材料吸收损耗、辐射损耗和散射损耗所决定,而耦合损耗主 要与微腔和光纤锥的耦合距离有关。由结果可知,当光纤锥从远处慢慢靠近微腔直到刚出现谐振峰时,此时,耦合损耗小于本征损耗,系统处于欠耦合状态;当光纤锥逐步靠近微腔直到谐振峰深度达到最深时,此时,耦合损耗等于本征损耗,系统处于临界耦合;当光纤锥再贴近微腔直到谐振峰深度变浅时,此时,耦合损耗大于本征损耗,系统处于过耦合。 实验中测的谐振峰深度与线宽的变化,基本符合标准的Ideality曲线,证明在微腔耦合过程中,没有额外的能量损耗。
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由于制备SiO2微腔材料的水羟基的存在,使其具有较强的亲水性,这也导致了SiO2微腔放置一段时间后其Q值会有所下降。为了测试其Q值随时间的变化关系,每隔一段时间对微腔的Q值进行测试,其结果如图5所示。由结果可知,微腔Q值随着时间不断降低,经过一段时间后,其Q值的变化趋于平稳,主要原因可能是由于SiO2微腔表面的水羟基饱和,导致其Q值最终变化不大。
为了能实现对制备的SiO2微腔重复使用,一是要对制备的SiO2微腔进行隔绝空气保存,二是对Q值退化的微腔进行退火处理来使微腔表面的水汽蒸发,来实现Q值的回升。处理方案主要有两种,一是利用CO2激光器对微腔进行重新熔融处理,但基于目前的微腔制备系统,无法重新找到微腔的精确位置,因此,笔者选择了另外一种方式,即利用马弗炉对已经放置一段时间的SiO2微腔进行退火处理,来验证此方法的可行性。为了比较退火前后的Q值的变化,以及Q值的恢复程度,先对刚制备的微腔的部分谐振峰Q值进行了测试,其中,Depth为0时表示此时系统处于临界耦合。一段时间后,再次对退火前后同级深度的谐振峰Q值进行了测试,其中,退火温度设置为950 ℃,退火时间设置为6 h,其结果如表1所示。由表可知,其Q值较未退火前有所提升,但未能恢复到刚制备好时的水平。由于笔者对微腔退火的研究还处于探索阶段,并没有找到最佳的退火温度和退火时间。并且在退火过程中,马弗炉内的微尘可能吸附到微腔表面,也会导致Q值恢复不明显。因此,可以通过探索最佳的退火温度和退火时间以及优化微腔退火的夹具来实现Q值的高效恢复。
Depth 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 Initial Q value - 3.23×108 - 2.14×108 1.43×108 - - Before annealing 1.78×108 1.66×108 8.57×107 6.9×107 6.1×107 5.7×107 5.96×107 After annealing 3.11×108 2.12×108 1.59×108 1.3×108 7.9×107 7.1×107 7.57×107 Table 1. Change of Q value of microcavity before and after annealing
Fabrication and optical frequency comb generation in high-quality factor silicon oxide microcavity (Invited)
doi: 10.3788/IRLA20220294
- Received Date: 2022-04-26
- Rev Recd Date: 2022-05-13
- Publish Date: 2022-06-08
Abstract: Based on ultra-high quality factor(Q) and nonlinear optical microcavities, optical microcombs(microcavity optical frequency comb) have enabled a variety of important applications including high volume optical communications, optical data center, photonic neuromorphic computation and massive parallel LIDAR. Whispering gallery mode (WGM) microcavities stand for an important platform for studying the microcavity optical frequency comb technology, particularly having record ultra-high Q factors as well as the ultra-high finesse. It can realize ultra-narrow linewidth lasers and optical frequency combs, and photonic microwaves for synthesizing ultra-low noise. Here we developed high Q WGM microcavities from a silica (SiO2) rod fused and shaped with the CO2 laser. The quality factor is above 108 with a free spectrum range at the level of 10 GHz. The cavity resonances as well as the coupling ideality have been characterized, where a degradation of Q factors in a humid environment was observed and recovered with a second annealing process. Moreover, Kerr comb generation was demonstrated in such SiO2 microcavities, which at the moment is mostly in a noisy state governed by the modulation instability regime. Yet the footprint of the cavity soliton state was experimentally observed as a “soliton step” signal. The results indicate that a low-noise and fully coherent soliton microcomb is potentially accessible in home developed SiO2 microcavities, and is readily for comb-related applications.