0.22 THz宽带混频电路研究

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0.22 THz宽带混频电路研究

王俊龙, 杨大宝, 邢东, 梁士雄, 张立森, 赵向阳, 徐鹏, 冯志红

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王俊龙, 杨大宝, 邢东, 梁士雄, 张立森, 赵向阳, 徐鹏, 冯志红. 0.22 THz宽带混频电路研究[J]. 红外与激光工程, 2017, 46(11): 1125003-1125003(4). doi: 10.3788/IRLA201746.1125003

引用本文:

王俊龙, 杨大宝, 邢东, 梁士雄, 张立森, 赵向阳, 徐鹏, 冯志红. 0.22 THz宽带混频电路研究[J]. 红外与激光工程, 2017, 46(11): 1125003-1125003(4). doi: 10.3788/IRLA201746.1125003

Wang Junlong, Yang Dabao, Xing Dong, Liang Shixiong, Zhang Lisen, Zhao Xiangyang, Xu Peng, Feng Zhihong. Research of 0.22 THz wide-band mixing circuit[J]. Infrared and Laser Engineering, 2017, 46(11): 1125003-1125003(4). doi: 10.3788/IRLA201746.1125003

Citation:

Wang Junlong, Yang Dabao, Xing Dong, Liang Shixiong, Zhang Lisen, Zhao Xiangyang, Xu Peng, Feng Zhihong. Research of 0.22 THz wide-band mixing circuit[J]. Infrared and Laser Engineering, 2017, 46(11): 1125003-1125003(4). doi: 10.3788/IRLA201746.1125003

0.22 THz宽带混频电路研究

doi: 10.3788/IRLA201746.1125003

1.
专用集成电路重点实验室,河北石家庄 050051;
2.
中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄 050051

作者简介:
王俊龙(1988-),男,工程师,硕士,主要从事太赫兹固态电子器件及模型方面的研究。Email:tjuwangjunlong@126.com

通讯作者: 冯志红(1973-),男,研究员,博士生导师,主要从事宽禁带半导体与太赫兹固态电子器件方面的研究。Email:ga917vv@163.com

中图分类号: TN45

Research of 0.22 THz wide-band mixing circuit

1.
National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit,Shijiazhuang 050051,China;
2.
The 13 th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation,Shijiazhuang 050051,China

摘要: 基于中国电子科技集团公司第十三研究所的反向并联肖特基二极管，采用电磁场和电路软件联合仿真，完成了0.22 THz分谐波混频电路设计。在固定中频输出频率10 MHz的条件下测试了混频电路的变频损耗，在175~235 GHz共60 GHz带宽内双边带变频损耗小于15 dB，在196 GHz处最佳变频损耗为8.5 dB。测试结果与仿真结果趋势吻合良好。基于冷热负载，测试了分谐波混频电路的噪声温度，当本振功率为5.7 mW时，在216 GHz处双边带噪声温度为1 200 K。
- 太赫兹 /
- 混频 /
- 肖特基二极管 /
- 模型
Abstract: The design of a 0.22 THz sub-harmonically pumped mixer circuit was demonstrated. The circuit was based on anti-parallel pair of planar Schottky diodes from the CETC 13 with the co-simulation of electromagnetic(EM) software and circuit software. The conversion loss was measured at the fixed intermediate frequency(IF) of 10 MHz. The double sideband(DSB) conversion loss is less than 15 dB in the range of 175 GHz to 235 GHz, the bandwidth is 60 GHz. The best DSB conversion loss is 8.5 dB at 196 GHz. The measured result was well with the simulated result. The DSB equivalent noise temperature of is 1 200 K at 216 GHz with the local oscillator(LO) power of 5.7 mW.
- terahertz /
- mixing /
- Schottky diode /
- model

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0.22 THz宽带混频电路研究

doi: 10.3788/IRLA201746.1125003

1. 专用集成电路重点实验室,河北石家庄 050051;

2. 中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄 050051

作者简介:
王俊龙(1988-),男,工程师,硕士,主要从事太赫兹固态电子器件及模型方面的研究。Email:tjuwangjunlong@126.com

通讯作者: 冯志红(1973-),男,研究员,博士生导师,主要从事宽禁带半导体与太赫兹固态电子器件方面的研究。Email:ga917vv@163.com

收稿日期: 2017-03-05
修回日期: 2017-04-03
刊出日期: 2017-11-25

中图分类号: TN45

关键词:

摘要: 基于中国电子科技集团公司第十三研究所的反向并联肖特基二极管，采用电磁场和电路软件联合仿真，完成了0.22 THz分谐波混频电路设计。在固定中频输出频率10 MHz的条件下测试了混频电路的变频损耗，在175~235 GHz共60 GHz带宽内双边带变频损耗小于15 dB，在196 GHz处最佳变频损耗为8.5 dB。测试结果与仿真结果趋势吻合良好。基于冷热负载，测试了分谐波混频电路的噪声温度，当本振功率为5.7 mW时，在216 GHz处双边带噪声温度为1 200 K。

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