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283 nm背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器

王晓勇,  种明,  赵德刚,  苏艳梅

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王晓勇, 种明, 赵德刚, 苏艳梅. 283 nm背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器[J]. 红外与激光工程, 2013, 42(4): 1011-1014.
引用本文: 王晓勇, 种明, 赵德刚, 苏艳梅. 283 nm背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器[J]. 红外与激光工程, 2013, 42(4): 1011-1014.
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Wang Xiaoyong, Chong Ming, Zhao Degang, Su Yanmei. Back-illuminated 283 nm AlGaN solar-blind ultraviolet p-i-n photodetector[J]. Infrared and Laser Engineering, 2013, 42(4): 1011-1014.
Citation: Wang Xiaoyong, Chong Ming, Zhao Degang, Su Yanmei. Back-illuminated 283 nm AlGaN solar-blind ultraviolet p-i-n photodetector[J]. Infrared and Laser Engineering, 2013, 42(4): 1011-1014.
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283 nm背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器

  • 1.

    中国科学院半导体研究所 纳米光电子实验室,北京 100083;

  • 2.

    中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室,北京 100083

基金项目: 

国家自然科学基金（60776047）;国家863 计划（2007AA03Z401）

详细信息
    作者简介:

    王晓勇（1982－），男，博士生，主要从事AlGaN紫外探测器方面的研究。Email：wangxy08@semi.ac.cn；陈良惠（1939－），男，中国工程院院士，主要从事半导体光电子器件方面的研究。Email：chenlh@semi.ac.cn；种明（1960－），女，研究员，主要从事光电探测器件方面的研究。Email：chongm@semi.ac.cn

    王晓勇（1982－），男，博士生，主要从事AlGaN紫外探测器方面的研究。Email：wangxy08@semi.ac.cn；陈良惠（1939－），男，中国工程院院士，主要从事半导体光电子器件方面的研究。Email：chenlh@semi.ac.cn；种明（1960－），女，研究员，主要从事光电探测器件方面的研究。Email：chongm@semi.ac.cn

  • 中图分类号: TN23

Back-illuminated 283 nm AlGaN solar-blind ultraviolet p-i-n photodetector

  • 1.

    Nano-Optoelectronics Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;

  • 2.

    State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China

  • 摘要: 实验中使用在蓝宝石衬底上用低压金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的AlGaN基p-i-n结构材料，通过对工艺流程的优化设计，制作了背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器，获得了较高的外量子效率。材料中p区和i区的Al组分为40%，n区Al组分为65%。探测器为直径500 m的圆形，光谱响应起止波长为260~310 nm，峰值响应波长283 nm。零偏压下，暗电流密度为2.710-10 Acm-2，对应的R0A参数为3.8108 cm2，峰值响应率为13 mA/W，对应的峰值探测率为1.971012 cmHz1/2W-1。其在-7 V偏压下，峰值响应率达到148 mA/W，对应的外量子效率达到63%。
    Abstract: By an optimized fabricating process, a kind of solar-blind ultraviolet photodetector was designed and fabricated used AlGaN material grown on sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) method. The external quantum efficiency gets well improved. The structure of the device is back-illuminated p-i-n type. Al mole factor is 40% in both p and i type layers and it is 65% in the n type lawyer. The shape of the device is a circle and its diameter is 500 m. The spectral response of the device starts form 260-310 nm while its peak response occurs at 283 nm. Under zero bias, a dark current density of 2.710-10 Acm-2 and a responsivity of 13 mA/W are found which corresponds to a parameter R0A of 3.8108 cm2 and a detection rate of 1.971012 cmHz1/2W-1. Under -7 V bias, the responsivity reaches to 148 mA/W, corresponding to an external quantum efficiency of 63%.
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-09-01
  • 修回日期:  2012-10-03
  • 刊出日期:  2013-04-25

283 nm背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器

  • 1. 中国科学院半导体研究所 纳米光电子实验室,北京 100083;
  • 2. 中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室,北京 100083
    • 作者简介:

    王晓勇（1982－），男，博士生，主要从事AlGaN紫外探测器方面的研究。Email：wangxy08@semi.ac.cn；陈良惠（1939－），男，中国工程院院士，主要从事半导体光电子器件方面的研究。Email：chenlh@semi.ac.cn；种明（1960－），女，研究员，主要从事光电探测器件方面的研究。Email：chongm@semi.ac.cn

    王晓勇（1982－），男，博士生，主要从事AlGaN紫外探测器方面的研究。Email：wangxy08@semi.ac.cn；陈良惠（1939－），男，中国工程院院士，主要从事半导体光电子器件方面的研究。Email：chenlh@semi.ac.cn；种明（1960－），女，研究员，主要从事光电探测器件方面的研究。Email：chongm@semi.ac.cn

  • 收稿日期: 2012-09-01
  • 修回日期: 2012-10-03
  • 刊出日期: 2013-04-25
基金项目:

国家自然科学基金（60776047）;国家863 计划（2007AA03Z401）

  • 中图分类号: TN23

摘要: 实验中使用在蓝宝石衬底上用低压金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的AlGaN基p-i-n结构材料，通过对工艺流程的优化设计，制作了背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器，获得了较高的外量子效率。材料中p区和i区的Al组分为40%，n区Al组分为65%。探测器为直径500 m的圆形，光谱响应起止波长为260~310 nm，峰值响应波长283 nm。零偏压下，暗电流密度为2.710-10 Acm-2，对应的R0A参数为3.8108 cm2，峰值响应率为13 mA/W，对应的峰值探测率为1.971012 cmHz1/2W-1。其在-7 V偏压下，峰值响应率达到148 mA/W，对应的外量子效率达到63%。

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